研究方向：研究方向涉及III-V族、II-V族半导体材料、硅基发光材料，稀土发光材料、high-K微电子介质材料和储能材料，宽禁带透明导电材料、自旋电子学材料。长期从事分子束外延、MOCVD半导体材料外延生长和原子层沉积、PECVD、电子束蒸发、磁控溅射和薄膜沉积技术研究工作。近年来致力于以原子层为单位的数字化材料合成技术和新型纳米薄膜光电子器件研制工作， 利用原子层沉积方法研制具备特定物理性质的各类纳米复合结构功能薄膜材料，或者对半导体低维结构，石墨烯等二维材料表面进行沉积改性，以增强其性能或稳定性。应用领域涉及半导体光电子学薄膜材料与器件、复合纳米光电子功能材料与器件、电池等能源材料与器件。
