在微纳加工技术/超精密制造装备与超高密度磁存储关键工艺取得一些有代表性的工作：
1）7nm node 极紫外(EUV)光刻技术曝光剂研发，7nm Node/13nm 周期 EUV 干涉光刻(IL)工艺,用于 EUV/X-ray 阵列技术的 Si3N4掩模制造工艺；
2）利用 EUVIL 制备出光学方法所能得到的 20nm 最小二维点阵用于下一代的磁记录介质；
3）8/12 英寸下一代 Sub-20nm 自旋转移转矩磁性随机存储芯片 STT-MRAM工艺(与最好的三星工艺技术相媲美)，50nm 分辨率, 1：7.5 全球最高的深宽比结构的 8/12英寸纳米压印装备用于磁传感器阵列工艺；
4）与 GermanLitho/ 天仁微纳科技和 Leuven Instrument 产学研合作，共同开发出专注于磁传感器阵列/MRAM 2/4/6/8 英寸纳米压印专用设备和 8/12 英寸 RIE/IBE 双刻蚀技术磁性材料专属刻蚀装备。
